[发明专利]具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头无效

专利信息
申请号: 200910139071.9 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101667427A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 长勤;土屋芳弘;原晋治;宫内大助;町田贵彦 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;H01F10/32;G11B21/21;G11B5/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王 旭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层,所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上,以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层,并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触,并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
搜索关键词: 具有 一对 屏蔽 控制 磁化 磁性 薄膜 磁头
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,所述薄膜磁头包含:MR层压体,所述MR层压体由其磁化方向响应外部磁场而变化的第一MR磁性层、非磁性中间层和其磁化方向响应外部磁场而变化的第二MR磁性层组成,其中所述第一MR磁性层、所述非磁性中间层和所述第二MR磁性层依次相互接触;第一和第二屏蔽层,所述第一和第二屏蔽层分别面向所述第一MR磁性层和所述第二MR磁性层设置,并且所述第一和第二屏蔽层以在垂直于所述MR层压体的膜表面的方向上将所述MR层压体夹在中间的状态排列,并且所述第一和第二屏蔽层还起到电极的作用,用于使感应电流在垂直于所述MR层压体的膜表面的方向上流动;以及偏磁场施加层,所述偏磁场施加层被设置在所述MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上,以施加垂直于所述ABS的偏磁场,其中所述第一屏蔽层包含:第一交换耦合磁场施加层,所述第一交换耦合磁场施加层被设置为面向所述第一MR磁性层,并且在平行于所述ABS的方向上向所述第一MR磁性层施加交换耦合磁场;和第一反铁磁性层,所述第一反铁磁性层被设置为在从所述第一MR磁性层看的所述第一交换耦合磁场施加层的背面上与所述第一交换耦合磁场施加层接触,并且所述第一反铁磁性层与所述第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合,并且所述第二屏蔽层包含:第二交换耦合磁场施加层,所述第二交换耦合磁场施加层被设置为面向所述第二MR磁性层,并且向所述第二MR磁性层施加交换耦合磁场,所述交换耦合磁场在与所述ABS平行的方向上,并且在与由所述第一交换耦合磁场施加层向所述第一MR磁性层所施加的交换耦合磁场反平行的方向上,和第二反铁磁性层,所述第二反铁磁性层被设置为在从所述第二MR磁性层看的所述第二交换耦合磁场施加层的背面上与所述第二交换耦合磁场施加层接触,并且所述第二反铁磁性层与所述第二交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。
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