[发明专利]半导体封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 200910139548.3 | 申请日： | 2009-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101937881A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 欧英德 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构及其封装方法。半导体封装结构包括一基板、一感应式芯片、一第一图案化导电层及一电性连接部。基板具有一芯片容置部及相对应的一第一表面与一第二表面。芯片容置部从第一表面贯穿至第二表面。第一图案化导电层形成于第一表面，而感应式芯片埋设于芯片容置部内。电性连接部电性连接感应式芯片与第一图案化导电层。由于感应式芯片内埋于芯片容置部内，使整体的半导体封装结构的体积缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，包括：一基板，具有一芯片容置部、一导通孔及相对应的一第一表面与一第二表面，该芯片容置部及该导通孔从该第一表面贯穿至该第二表面；一感应式芯片，设于该芯片容置部内并具有一主动表面且包括一接垫，该接垫位于该主动表面；一第一图案化导电层，形成于该第一表面；一导通孔导电层，形成于该导通孔并连接于该第一图案化导电层；一第二图案化导电层，形成于该第二表面并连接于该导通孔导电层；以及一电性连接部，电性连接该接垫与该第一图案化导电层。
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