[发明专利]具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件无效
| 申请号： | 200910139658.X | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101621078A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;崔正达 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115;G11C7/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李 佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件。一种存储器单元晶体管包括：有源区，该有源区在第一延伸方向上伸长；该有源区上的隧道层，该隧道层包括第一隧道绝缘层、第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层和第二隧道绝缘层上的第三隧道绝缘层；隧道层上的电荷储存层；电荷储存层上的阻挡绝缘层；以及阻挡绝缘层上的控制栅电极，该控制栅电极在横向于第一延伸方向的第二延伸方向上伸长，有源区具有第二延伸方向上的第一宽度，第二隧道绝缘层具有第二延伸方向上的第二宽度，第二宽度不同于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 隧道 绝缘体 存储器 单元 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元晶体管，包括：有源区，所述有源区在第一延伸方向上伸长；所述有源区上的隧道层，所述隧道层包括第一隧道绝缘层、所述第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层和所述第二隧道绝缘层上的第三隧道绝缘层；所述隧道层上的电荷储存层；所述电荷储存层上的阻挡绝缘层；以及所述阻挡绝缘层上的控制栅电极，所述控制栅电极在横向于所述第一延伸方向的第二延伸方向上伸长，所述有源区在所述第二延伸方向上具有第一宽度，所述第二隧道绝缘层在所述第二延伸方向上具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。
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