[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910139684.2 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101615764A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 神川刚 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/223;H01S5/02;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛 青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，设置氮化物半导体分层结构部分，该部分包括在所述刻槽区域中和在所述脊部分表面上的至少一种类型的氮化物半导体薄膜，其中，在所述第一步骤中，形成多个具有变化面积的非刻槽区域；和其中，在所述第二步骤中，设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。
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