[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

提供一种能够防止通过静电夹紧来吸引到台架的晶片与台架的摩擦所造成的灰尘生成并且提高半导体器件制造产量的技术。在具有静电夹具功能的台架的顶表面上装配晶片，并且将处于50℃或者更高温度的晶片冷却至低于50℃。在这一步骤中逐步地提升将向在台架中提供的内部电极施加的电压以逐渐地增加在晶片的背表面与台架的顶表面之间的接触面积。最后向内部电极施加夹具电压，从而将晶片的整个背表面均匀地吸引到台架的顶表面。这减少由于晶片的背表面与台架的顶表面之间的摩擦而在台架的顶表面中出现的损坏。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在具有静电夹具功能的处于第一温度的台架的顶表面之上装配处于比所述第一温度更高的第二温度的半导体晶片，并且将所述半导体晶片冷却至比所述第二温度更低的第三温度，其中在所述冷却步骤中将向在所述台架中提供的内部电极施加的控制电压朝着更高电压这一侧从第一电压逐步改变成第n(n≥2)电压。