[发明专利]竖直向上接触的半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 200910139892.2 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101615601A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | R·埃泽勒;M·科克 | 申请（专利权）人： | 丹福斯矽电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/00;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周心志;梁 冰 |
| 地址： | 德国石*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有引线框的竖直向上接触半导体，包括基板，布置在基板上的半导体，和电触头，该触头形成为从基板在连接平面下方一侧突起的接触体，该触头至少部分地位于围绕半导体的注入模塑材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 向上 接触 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种竖直向上的接触半导体模块，具有包括基板的引线框、布置在基板上的半导体和电触头，其特征在于，所述触头从导线层开始形成为与位于所述导线层之下的基板侧面相反的、向上指向的导电接触体(16；28)，所述触头至少部分地位于围绕所述半导体的包封式模塑材料中。
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