[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910140052.8 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101626023A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 金锡必;朴允童;具俊谟;尹泰应 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：第一半导体层，沿第一方向延伸；第二半导体层，平行于第一半导体层延伸并与第一半导体层分隔开；隔离层，在第一半导体层与第二半导体层之间；第一控制栅极电极，在第一半导体层与隔离层之间；第二控制栅极电极，在第二半导体层与隔离层之间，其中第二控制栅极电极和第一控制栅极电极分别设置在隔离层的相反侧；第一电荷存储层，在第一控制栅极电极与第一半导体层之间；以及第二电荷存储层，在第二控制栅极电极与第二半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：第一半导体层，沿第一方向延伸；第二半导体层，平行于所述第一半导体层延伸并与所述第一半导体层分隔开；隔离层，在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一控制栅极电极，在所述第一半导体层与所述隔离层之间；第二控制栅极电极，在所述第二半导体层与所述隔离层之间，其中所述第二控制栅极电极和所述第一控制栅极电极分别设置在所述隔离层的相反侧；第一电荷存储层，在所述第一控制栅极电极与所述第一半导体层之间；以及第二电荷存储层，在所述第二控制栅极电极与所述第二半导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
