[发明专利]第三族氮化合物萧特基二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910140067.4 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101944540A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈冠廷;李家铭 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/082;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种第三族氮化合物萧特基二极管及其制造方法，其将第三族氮化合物萧特基二极管的至少一电极与导电基板形成奥姆接触，使第三族氮化合物萧特基二极管导电时的电流可经过基板。该基板可以大面积制作，具有导电性及散热性佳的优点，故可避免组件因过热而遭损坏的问题，且提升第三族氮化合物萧特基二极管的操作特性。另外，萧特基二极管的阳极与阴极可选择设置于基板的同一侧或相对侧，藉以缩小组件的体积及面积。 | ||
| 搜索关键词： | 第三 氮化 合物萧特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：包括：导电基板，其中该导电基板具有第一表面与位于其相对侧的第二表面；缓冲层及半导体层依序堆栈于该第一表面上，以形成岛状区块，其中该半导体层以第三族氮化合物组成；第一电极，其位于该区块上；以及第二电极，其可与该第一表面或该第二表面其中之一接触。
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