[发明专利]一种存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及其制造方法。一种存储装置包含具有一PN结的一驱动器，该PN结是以包含一第一导电类型的一第一掺杂半导体区域以及不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂半导体区域所形成，该第一掺杂半导体和该第二掺杂半导体之间定义一PN结，其中该第一掺杂半导体区域是以一单晶半导体所形成，以及该第二掺杂半导体区域包含一多晶半导体。同时，本发明揭露一种制造包含在一单晶半导体，像是在一半导体晶圆上，形成一第一导电类型的一第一掺杂半导体区域，以及形成不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂多晶半导体区域，以定义在该第一掺杂多晶半导体区域和该第二掺杂多晶半导体区域之间出一PN结。

主权项

一种存储单元，包含一存取装置，其特征在于，包括：一第一掺杂半导体区域具有一第一导电类型；以及一第二掺杂半导体区域具有不同于第一导电类型的一第二导电类型，在该第一掺杂半导体区域及该第二掺杂半导体区域之间定义一PN结；其中该第一掺杂半导体区域形成于一单晶半导体，以及该第二掺杂半导体区域包含一多晶半导体；其中该第二掺杂半导体区域的掺杂浓度高于该第一掺杂半导体区域的掺杂浓度的10倍以上。