[发明专利]具有密封塞子的半导体槽结构及方法有效
| 申请号： | 200910140240.0 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673737A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里瓦纳;G·H·罗切尔特;小J·M·帕西;M·T·库杜斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/762;H01L21/71 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施方式中，本发明形成一种具有槽结构的半导体设备。所述槽结构包括沿所述槽暴露的上表面形成的单晶半导体塞子。在一个实施方式中，所述单晶半导体塞子密封所述槽以形成密封的芯。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密封 塞子 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，所述设备包括：具有主表面的半导体材料区域；自所述主表面延伸至所述半导体材料区域内的槽，其中所述槽具有上侧壁表面、下侧壁表面、和下表面；覆盖在所述槽的下侧壁表面和下表面上的电介质层；以及自所述槽的上侧壁表面延伸的单晶半导体塞子，其中所述单晶半导体塞子至少部分密封所述槽，并且所述单晶半导体塞子不覆盖在所述电介质层的主表面上。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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