[发明专利]制作氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 200910140670.2 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101645481A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 高仓辉芳;神川刚;金子佳加 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/223;H01S5/343;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该器件包括：氮化物半导体衬底，在它的顶面上形成有槽和脊并以条形延伸；以及氮化物半导体生长层，在氮化物半导体衬底顶上且具有在彼此顶上的n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层，该方法包括：第一步，通过形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，从而使槽上的氮化物半导体生长层的高度小于脊上的氮化物半导体生长层的高度；以及第二步，在形成于第一步的平坦区中的氮化物半导体生长层的表面上，形成一个抬高的脊条形部分。
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