[发明专利]电子元件晶片模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910140847.9 申请日: 2009-05-14
公开(公告)号: CN101582416A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 井田彻 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/522;H01L23/12;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/60;H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;李家麟
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电子元件晶片模块和电子元件晶片模块的制造方法、电子元件模块和电子信息装置。提供一种电子元件晶片模块,并且该模块包括:电子元件晶片,其中多个电子元件提供在前表面一侧上并且布线提供在背表面一侧上;以及通过树脂粘合层粘合的与电子元件晶片的前表面一侧相对的支撑衬底,其中:沿着相邻电子元件之间的切割线形成用于切割的沟槽,从背表面穿过电子元件晶片;和在包括通孔的电子元件晶片的背表面上形成用来使半导体层与背表面上的布线绝缘的绝缘膜,并且该绝缘膜至少形成在沟槽的侧壁上。
搜索关键词: 电子元件 晶片 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子元件晶片模块,包括:电子元件晶片,其中多个电子元件提供在前表面一侧上并且布线提供在背表面一侧上,通过穿过这两个表面的通孔该布线电连接到前表面一侧上的布线或端子部;和通过树脂粘合层粘合的支撑衬底,其与该电子元件晶片的前表面一侧相对,其中:沿着相邻电子元件之间的切割线形成用于切割的沟槽,该沟槽从背表面穿过该电子元件晶片;和在包括通孔的电子元件晶片的背表面上形成用来使半导体层与背表面上的布线绝缘的绝缘膜,并且该绝缘膜至少形成在该沟槽的侧壁上。
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