[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910141726.6 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101587911A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 森隆弘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一区、源极区、第二区、漏极区、栅极绝缘层、场绝缘层和栅极电极。第一区形成在半导体衬底的表面区域中。源极区形成在第一区的表面区域中。第二区形成在半导体衬底的表面区域中。漏极区形成在第二区的表面区域中。栅极绝缘层形成于在源极区和第二区之间的半导体衬底的正表面上。场绝缘层形成于在漏极区和栅极绝缘层之间的半导体衬底的表面区域中。栅极电极覆盖所述栅极绝缘层的部分和所述场绝缘层的部分。场绝缘层在其与栅极电极重叠的部分中具有如此的阶梯，使得场绝缘层的在阶梯和栅极绝缘层之间的部分比场绝缘层的其它部分更薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区，所述第一区形成在半导体衬底的表面区域中；第二导电类型的源极区，所述源极区形成在所述第一区的表面区域中；第二导电类型的第二区，所述第二区形成在所述半导体衬底的表面区域中；第二导电类型的漏极区，所述漏极区形成在所述第二区的表面区域中；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成于在所述源极区和所述第二区之间的所述半导体衬底的正表面上；场绝缘层，所述场绝缘层形成于在所述漏极区和所述栅极绝缘层之间的所述半导体衬底的表面区域中；以及栅极电极，所述栅极电极覆盖一部分所述栅极绝缘层和一部分所述场绝缘层，其中，所述场绝缘层在与所述栅极电极相重叠的部分中具有阶梯，并使得在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间的所述场绝缘层的部分比所述场绝缘层的其它部分更薄。
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