[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件，包括这样一个电路的非绝缘型DC-DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。

主权项

1.一种包括DC-DC转换器的半导体器件，包括：第一半导体芯片(5a)，其包括用于所述DC-DC转换器的高侧开关的第一场效应晶体管(Q1)，所述第一半导体芯片具有第一栅电极焊盘(BP3)、第一源电极焊盘(BP1)和第一漏电极；第二半导体芯片(5b)，其包括用于所述DC-DC转换器的低侧开关的第二场效应晶体管(Q2)，所述第二半导体芯片具有第二栅电极焊盘(BP7)、第二源电极焊盘(BP5)和第二漏电极；第三半导体芯片(5c)，其包括用于驱动所述第一场效应晶体管的第一驱动电路(3a)以及用于驱动所述第二场效应晶体管的第二驱动电路(3b)，所述第三半导体芯片具有第一电极焊盘(BP4)和第二电极焊盘；树脂包封体(8)，其覆盖所述第一、第二和第三半导体芯片；以及金属镀线(48a)，其与所述第一半导体芯片的第一源电极焊盘电连接且机械连接，其中所述第三半导体芯片的第一电极焊盘与所述第一半导体芯片的第一栅电极焊盘电耦合，其中所述第三半导体芯片的第二电极焊盘与所述第二半导体芯片的第二栅电极焊盘电耦合，以及其中所述第一半导体芯片的第一源电极焊盘和所述第二半导体芯片的第二漏电极通过所述金属镀线而彼此电耦合。