[发明专利]确定衬底中的缺陷的方法和光刻工艺中曝光衬底的设备无效
| 申请号： | 200910142608.7 | 申请日： | 2009-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101592872A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 尼雷·萨哈;赫敏·福肯·彭 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种确定衬底中的缺陷的方法和在光刻工艺中曝光衬底的设备。该方法包括：用传感器扫描衬底的扫描范围，该传感器将辐射束投影到衬底上；沿扫描范围测量从不同的衬底区域反射的辐射的强度的一部份；确定经过所扫描范围的被测量部份的变化量；由该变化量确定在衬底中是否存在任何缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 衬底 中的 缺陷 方法 光刻 工艺 曝光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种确定衬底中的缺陷的方法，所述方法包括步骤：用传感器扫描衬底的扫描范围，所述传感器将辐射束投影在所述衬底上；测量沿所述扫描范围从不同衬底区域反射的辐射强度的一部份；确定经过所述扫描范围的被测量的该部份的变化量；由所述变化量确定在所述衬底上是否存在任何缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910142608.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
