[发明专利]形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200910142924.4 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101752258A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张正宏;许育荣;李陈毅;洪士庭;叶震南;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，其特征在于其包括：提供一复合基材，包括一主体硅基材与紧邻于该主体硅基材之上的一硅锗层；对该硅锗层执行一第一缩合，以形成一缩合硅锗层，其中该缩合硅锗层具有一均匀的锗浓度；蚀刻该缩合硅锗层与该主体硅基材的一顶端部分，以形成一复合鳍片，其中该复合鳍片包括一硅鳍片与位在该硅鳍片上的一缩合硅锗鳍片；氧化该硅鳍片一部分；以及对该缩合硅锗鳍片执行一第二缩合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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