[发明专利]碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910142954.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101885482A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;王家平;孙静;高濂;刘阳桥;王焱;张婧 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;H01B13/00;B01J23/06;C01B31/00;H01B5/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法，能够在稳定的条件下简便且有效率地除去残留在单壁碳纳米管膜等碳纳米管膜中的有机物、并且能够容易地且高生产效率地制造低方块电阻或低方块电阻且高透光率的碳纳米管膜。在基板(11)上通过过滤法形成了单壁碳纳米管膜(12)后，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物(13)。在光催化处理中，通过将粉末状的光催化剂(14)堆积在单壁碳纳米管膜上，并对光催化剂照射紫外光，从而分解有机物。在利用了芬顿反应的处理中，通过将碳纳米管膜浸渍在含有Fe2+等的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 及其 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物。
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