[发明专利]具有气隙的穿透硅通孔有效
| 申请号： | 200910143528.3 | 申请日： | 2009-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771018A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/485;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种具有穿透硅通孔的半导体衬底，其中气隙介于穿透硅通孔和半导体衬底之间。形成开口，其部分地穿过该半导体衬底。该开口首先用衬垫衬里，然后用导电材料填充该开口。减薄半导体衬底的背面以暴露该衬垫，该衬垫随后被移除以形成围绕穿透硅通孔的导电材料的气隙。在半导体衬底的背面形成电介质层，以密封该气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 穿透 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；穿过半导体衬底延伸的穿透硅通孔；和介于所述穿透硅通孔和半导体衬底之间的气隙。
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