[发明专利]半导体设备及其制作方法有效
申请号: | 200910145440.5 | 申请日: | 2003-10-10 |
公开(公告)号: | CN101562150A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;福本由美子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;李平英 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置,例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明,在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离,并转移至具有高热导率的塑料基片上。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作显示设备的方法,其包括:在第一基片上形成包括薄膜晶体管的释放层;在所述释放层上涂覆有机树脂膜;用第一双面胶带将第二基片粘结至所述有机树脂膜上,从而将释放层和有机树脂膜夹在第一基片和第二基片之间;通过第二双面胶带将第三基片粘结至第一基片;通过物理手段将粘结第三基片的第一基片与释放层分离开来;将第四基片粘结至所述释放层,从而将释放层夹在第二基片和第四基片之间;将释放层和第一双面胶带从第二基片上分离下来;将释放层与第一双面胶带分离开来;以及用溶剂除去有机树脂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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