[发明专利]半导体设备及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200910145440.5 申请日: 2003-10-10
公开(公告)号: CN101562150A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;福本由美子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 林毅斌;李平英
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置,例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明,在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离,并转移至具有高热导率的塑料基片上。
搜索关键词: 半导体设备 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种制作显示设备的方法,其包括:在第一基片上形成包括薄膜晶体管的释放层;在所述释放层上涂覆有机树脂膜;用第一双面胶带将第二基片粘结至所述有机树脂膜上,从而将释放层和有机树脂膜夹在第一基片和第二基片之间;通过第二双面胶带将第三基片粘结至第一基片;通过物理手段将粘结第三基片的第一基片与释放层分离开来;将第四基片粘结至所述释放层,从而将释放层夹在第二基片和第四基片之间;将释放层和第一双面胶带从第二基片上分离下来;将释放层与第一双面胶带分离开来;以及用溶剂除去有机树脂膜。
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