[发明专利]一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法有效
| 申请号： | 200910145826.6 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101571502A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张瑞云;迈克·杰尼根 | 申请（专利权）人： | 重庆大全新能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 404000重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，该方法为：在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅；测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型；将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结合起来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组；依据二元一次方程组，得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。与现有技术相比，本发明在测得单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型后，即可根据所测的电阻率、P/N类型和已有的公式计算出单晶硅中硼、磷的含量，即多晶硅中硼、磷的含量，由于本发明在测得数据后采用公式计算，因此节约大量的时间；另外，无需用到低温傅里叶变换红外光谱仪或低温傅里叶变换光致发光仪，因此节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测定 多晶 硅中硼 含量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于，包括：在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅；测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型；将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结合起来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组；依据所述二元一次方程组得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。
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