[发明专利]具有电源切断晶体管的半导体器件有效
申请号: | 200910145942.8 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101604690A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 中井将胜 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/552;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/41 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了具有电源切断晶体管的半导体器件,该半导体器件包括第一导电类型的半导体基板;以及在半导体基板中形成为彼此分开的第一导电类型的第一和第二阱。 | ||
搜索关键词: | 具有 电源 切断 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】:
1、一种具有电源切断晶体管的半导体器件,包括:第一导电类型的半导体基板;和第一导电类型的第一阱和第二阱,形成为在该半导体基板中彼此分开,其中逻辑电路部分的晶体管形成在该第一阱中,电源切断晶体管形成在该第二阱中,该电源切断晶体管连接到用于驱动该逻辑电路部分的电源电流的通路,并且响应于输入控制信号关断从而电学地切断该通路,在该第一阱和该第二阱之间形成屏蔽部分以屏蔽该半导体基板中的电势干扰,并且由该屏蔽部分屏蔽电势干扰的两个基板区域中,在该第二阱侧的一个具有形成在其中的基板接触区域,该基板接触区域用于给该电源切断晶体管施加基板偏压。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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