[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200910146027.0 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN101599498A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 中柴康隆 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/13 分类号: H01L27/13;H01L23/525;H01L23/528
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件。在衬底(10)上形成多层布线层(400)、第一电感器(310)和第二电感器(320)。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层,其中t≥3。将第一电感器(310)设置在多层布线层(400)中的第n布线层中。第二电感器(320)被设置在多层布线层(400)中的第m布线层中并位于第一电感器(310)上方,其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器(310)上方的任何电感器。第一电感器(310)和第二电感器(320)组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件(300)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;多层布线层,其在所述衬底上形成并具有分别交替地依次堆叠t次或更多次的绝缘层和布线层,其中t≥3;第一电感器,其设置在所述多层布线层中的第n布线层中;以及第二电感器,其设置在所述多层布线层中的第m布线层中并位于所述第一电感器上方,其中t≥m≥n+2,其中在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器上方的任何电感器。
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