[发明专利]核心电源电压的供应方法、存储器阵列电路及集成电路无效
| 申请号： | 200910146179.0 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101795059A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈炎辉;詹伟闵;周绍禹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/00 | 分类号： | H02M3/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种核心电源电压的供应方法、存储器阵列电路及集成电路，该存储器阵列电路具有随着一电源电压变化的一核心电源电压，包括一存储单元阵列，包括由核心电源电压所供电的多个静态随机存取存储单元，并且静态随机存取存储单元被排列成多个列与多个行；一电压产生电路，用以根据一参考电压，产生核心电源电压；以及一参考电压产生器，由一最大核心电源电压所供电，并接收电源电压，用以产生参考电压，其中核心电源电压会随着参考电压的变动而改变，直到核心电源电压相等于最大核心电源电压，并且参考电压为电源电压与一既定偏移电压的总合。本发明提供一种具有适应性的存储器核心电源电压的供应电路，使SRAM能有稳定的性能和静态噪声容限。 | ||
| 搜索关键词： | 核心 电源 电压 供应 方法 存储器 阵列 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
一种核心电源电压的供应方法，适用于一存储单元阵列，上述供应方法包括：接收一电源电压；决定出一偏移电压，其中上述偏移电压为上述电源电压与上述核心电源电压间的一最小电压差；决定出一最大核心电源电压；产生相等于上述偏移电压与上述电源电压的总合的一参考电压；以及当上述核心电源电压小于上述最大核心电源电压时，输出随着上述参考电压变动的上述核心电源电压，而当上述核心电源电压不小于上述最大核心电源电压时，则输出相等于上述最大核心电源电压的上述核心电源电压。
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