[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910146472.7 | 申请日： | 2009-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101908560A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨怡箴;吴冠纬;张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件，其包括基底、栅极结构、掺杂区以及轻掺杂区。基底具有一阶状上表面，其中阶状上表面包括第一表面、第二表面及第三表面。第二表面低于第一表面。第三表面连接第一表面与第二表面。栅极结构配置于第一表面上。掺杂区配置于栅极结构两侧的基底中，且位于第二表面下。轻掺杂区分别配置于栅极结构与掺杂区之间的基底中。各轻掺杂区包括相互连接的第一部分与第二部分。第一部分配置于第二表面下，且第二部分配置于第三表面下。该半导体元件具有倾斜且弯曲的轻掺杂区作为源极漏极延伸，有助于减轻热载子效应而不需降低轻掺杂区的掺质浓度，还可减少栅极引发漏极漏电流与栅极漏极间的重叠电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于其包括：一基底，具有一阶状上表面，其中该阶状上表面包括一第一表面、低于该第一表面的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的第三表面；一栅极结构，配置于该第一表面上；两掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该基底中，且位于该第二表面下；以及两轻掺杂区，分别配置于该栅极结构与该些掺杂区之间的该基底中，其中各该些轻掺杂区包括：一第一部分，位于该第二表面下；以及一第二部分，连接该第一部分，且位于该第三表面下。
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