[发明专利]半导体器件的电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910146632.8 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599509A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 梁泽承 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中具有高电容的电容器及其制造方法。所述电容器包括位于基板上的底电极、层积于所述底电极上的介电层以及位于所述介电层上的顶电极，其中所述介电层包含厚度为约30±2的第一介电层，厚度为约100±5的第二介电层，厚度为约30±2的第三介电层。由于具有大的带隙的介电层沉积在具有小的带隙的介电层的顶部之上和底部之下，电稳定性和漏电流特性得到了改善。所述电容器可以具有8fF以上的高电容，并且可以用于半导体器件，例如用于高科技DRAM和CMOS器件的开发。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件，其包括：位于基板上的底电极；层积于所述底电极上的介电层，所述介电层包含具有第一厚度的第一介电层，具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介电层，厚度约等于所述第一厚度的第三介电层；和位于介电层上的顶电极。
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