[发明专利]被处理体的热处理装置和热处理方法有效
申请号: | 200910146681.1 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101604623A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 山贺健一;王文凌 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324;G05D23/22 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种被处理体的热处理装置和热处理方法,热处理装置包括:除收容多个被处理体以外还收容具有弹性波元件的测温用被处理体的可排气的处理容器、在保持有多个被处理体和测温用被处理体的状态下向处理容器内装载和卸载的保持单元、向处理容器内导入气体的气体导入单元、进行加热的加热单元、向收容在处理容器内的弹性波元件发送测定用电波的第一导电性部件、接收从收容在处理容器内的弹性波元件发射的对应于温度的电波的第二导电性部件、求出测温用被处理体的温度的温度分析部、和控制加热单元的温度控制部,第一导电性部件作为处理容器内的热处理部的一部分设置,第二导电性部件也作为处理容器内的热处理部的一部分设置。 | ||
搜索关键词: | 处理 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种被处理体的热处理装置,其特征在于,包括:除收容多个被处理体以外还能够收容具有弹性波元件的测温用被处理体的能够进行排气的处理容器;在保持有所述多个被处理体和所述测温用被处理体的状态下向所述处理容器内装载以及卸载的保持单元;向所述处理容器内导入气体的气体导入单元;对收容在所述处理容器内的所述多个被处理体以及所述测温用被处理体进行加热的加热单元;为了向收容在所述处理容器内的所述弹性波元件发送测定用电波而经由高频线路与发送器连接的作为发送用天线发挥功能的第一导电性部件;为了接收从收容在所述处理容器内的所述弹性波元件发射的对应于温度的电波而经由高频线路与接收器连接的作为接收用天线发挥功能的第二导电性部件;基于由所述接收用天线接收的电波求出所述测温用被处理体的温度的温度分析部;和控制所述加热单元的温度控制部,所述第一导电性部件作为所述处理容器内的热处理部的一部分设置,所述第二导电性部件也作为所述处理容器内的热处理部的一部分设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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