[发明专利]含层间绝缘部分的低漏电电容器有效
| 申请号： | 200910146980.5 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101714551A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 罗明健;郑光茗;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/522;H01L29/92;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种含层间绝缘部分的低漏电电容器。一种集成电路结构，包括：包含第一区和第二区的半导体衬底；位于半导体衬底第二区内的绝缘区；位于绝缘区上方的层间电介质(ILD)。一个晶体管位于第一区中，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极。第一导线和第二导线位于绝缘区上方。第一导线和第二导线基本平行，并且在第一方向延伸。第一金属线和第二金属线位于底层金属层(M1)内，并且在第一方向延伸。第一金属线和第二金属线分别与第一导线和第二导线基本垂直地重叠。第一金属线和第二金属线形成电容器的两个电容器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 含层间 绝缘 部分 漏电 电容器 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：包含第一区和第二区的半导体衬底；位于半导体衬底第二区内的绝缘区；位于绝缘区上方的层间电介质(ILD)；位于第一区内的晶体管，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极；位于绝缘区上方的第一导线和第二导线，其中，第一导线和第二导线基本上彼此平行，并且沿第一方向延伸；以及在位于ILD的上方的金属层内的、沿第一方向延伸的第一金属线和第二金属线，第一金属线和第二金属线形成电容器的两个电容器电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910146980.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
