[发明专利]供体基板和显示器制造方法无效
| 申请号： | 200910148635.5 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101615658A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 肥后智之;松尾圭介 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L21/82;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了在形成发光层时使用的供体基板，还提供了使用该供体基板制造显示器的方法，所述发光层是通过如下步骤形成的：形成含有发光材料的转印层；使所述转印层和被转印基板相互面对且将辐射线照射至所述转印层；并且使所述转印层升华或气化从而将所述转印层转印至所述被转印基板上。所述供体基板包括：基体；布置在所述基体上的光热转换层；以及布置在所述基体与所述光热转换层之间的热干涉层，所述热干涉层包括折射系数彼此不同的两个以上层。本发明能够通过调整所述热干涉层的折射系数(材料)和厚度，使宽波长范围内的吸收率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 供体 显示器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在形成发光层时使用的供体基板，所述发光层是通过如下步骤形成的：形成含有发光材料的转印层，使所述转印层和被转印基板相互面对且将辐射线照射至所述转印层，并且使所述转印层升华或气化从而将所述转印层转印至所述被转印基板上，所述供体基板包括：基体；布置在所述基体上的光热转换层；以及布置在所述基体与所述光热转换层之间的热干涉层，所述热干涉层包括折射系数彼此不同的两个以上层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910148635.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
