[发明专利]非易失性半导体存储器件

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储器件，该半导体存储器件使供电布线ESL的一端配置在终端部TE1上，并使另一端配置在终端部TE2上，并且，将供电布线ESL的中央部配置在虚拟部DMY上。换句话说就是，由于终端部TE1和终端部TE2、以及虚拟部DMY是大体上相同的高度，因此，从终端部TE1上经由虚拟部DMY上到终端部TE2上所配置的供电布线ESL的大部分被形成为相同高度。采用本发明，能够提高非易失性半导体存储器件的可靠性，特别是能够对分裂栅型晶体管的存储器栅电极确实地进行供电。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，其在半导体衬底上具备：第一存储单元阵列区域；第二存储单元阵列区域；以及由上述第一存储单元阵列区域和上述第二存储单元阵列区域所夹的供电区域，且上述第一存储单元阵列区域、上述第二存储单元阵列区域以及上述供电区域并列于第一方向上；还具有：(a)第一控制栅电极，沿着上述第一方向从上述第一存储单元阵列区域延伸到上述供电区域，并且在上述供电区域内具有第一终端部；(b)第一存储器栅电极，经由第一绝缘膜而形成在上述第一控制栅电极的侧壁上且在上述第一方向上延伸；(c)第二控制栅电极，沿着上述第一方向从上述第二存储单元阵列区域延伸到上述供电区域，并且在上述供电区域内具有第二终端部；以及(d)第二存储器栅电极，经由第二绝缘膜而形成在上述第二控制栅电极的侧壁上且在上述第一方向上延伸；其中，上述第一控制栅电极和上述第二控制栅电极被配置成一直线状，并且上述第一终端部和上述第二终端部被隔开而配置；其特征在于，还具有：(e)供电布线，一端配置于上述第一终端部上且另一端配置于上述第二终端部上；和(f)与上述供电布线电连接的插头，其中，上述供电布线是对形成有上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极的第一导体膜进行加工而形成的，且上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极经由上述供电布线电连接，并经由上述供电布线来对上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极施加规定电压。