[发明专利]半导体晶粒的接合方法有效
申请号: | 200910149028.0 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101740414A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 余振华;邱文智;吴文进 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/66 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法,该接合方法包含下列步骤:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化。其次,将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化,调整第一晶粒与第二晶粒,使得第一表面与第二表面互相平行。最后,将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,调整第一晶粒与第二晶粒的步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。本发明在将晶粒接合至晶粒或晶圆上时,有较大的产量以及更增进的可信赖度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶粒 接合 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶粒的接合方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一第一晶粒和一第二晶粒;扫描该第一晶粒和该第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化;将该第一晶粒的一第一表面朝向该第二晶粒的一第二表面;利用该厚度变化,调整该第一晶粒与该第二晶粒,使得该第一表面与该第二表面互相平行;以及将该第二晶粒接合至该第一晶粒之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造