[发明专利]显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200910149072.1 | 申请日: | 2009-06-16 |
公开(公告)号: | CN101609832A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 八木岩 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/82;H01L21/336;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法,其中,该显示装置包括基板上的源电极/漏电极、像素电极、绝缘的分隔壁层、沟道区半导体层。源电极/漏电极和像素电极形成在基板上并彼此接触。绝缘的分隔壁层形成在基板上,并设置有延伸至源电极和漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极之上并延伸至像素电极的第二开口。沟道区半导体层形成于第一开口的底部上。绝缘膜形成在分隔壁层上以覆盖包括沟道区半导体层的第一开口。定向膜从绝缘膜上方覆盖第一开口并从像素电极上方覆盖第二开口。通过本发明,可以提高具有像素电极的显示装置的图像质量。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,包括:源电极和漏电极,形成在基板上;像素电极,形成在所述基板上,并与所述源电极或所述漏电极接触;绝缘的分隔壁层,形成在所述基板上,并具有延伸至所述源电极和所述漏电极之间的第一开口以及形成于所述像素电极上并延伸至所述像素电极的第二开口;沟道区半导体层,形成在所述第一开口的底部上;绝缘膜,形成在所述分隔壁层上,以覆盖包括所述沟道区半导体层的所述第一开口;以及定向膜,从所述绝缘膜上方覆盖所述第一开口并从所述像素电极上方覆盖所述第二开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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