[发明专利]处理装置无效
申请号: | 200910149131.5 | 申请日: | 2009-06-17 |
公开(公告)号: | CN101609790A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23F4/00;H05H1/24;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以减轻设置在被处理体周围的整流壁的弯曲的处理装置,向处理容器(20)的内部供给处理气体,对载置台(3)上载置的被处理体(S),例如进行蚀刻等处理的处理装置(2)中,整流部件(5)构成为,连接有沿着被处理体(S)的各边延伸的多个整流壁(51),并包围该被处理体(S),各整流壁(51),其两端部被支撑部件(52)支撑,而且,其上缘形成为向该整流壁(51)的中央部逐渐升高的形状,另一方面,下缘形成为与上述载置台的上面平行。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种处理装置,其特征在于,包括:设置在处理容器的内部,用于载置被处理体的载置台;用于从该载置台的上方侧供给处理气体,对载置在该载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给单元;用于排出所述处理容器内气体的气体排气部;连接有多个沿着所述载置台上的被处理体的各边延伸的整流壁,并以包围该被处理体的方式构成的整流部件;以及支撑所述整流壁的两端部的支撑部件,所述整流壁的上缘形成为向该整流壁的中央部逐渐变高的形状,其下缘形成为与所述载置台的上表面平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造