[发明专利]处理装置无效
| 申请号： | 200910149488.3 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101615574A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理装置。在内部具备以包围基板的方式配置的用于抑制方形基板的周边区域的负载效应的整流部件的载置台中，当对该基板进行蚀刻处理时，抑制由该蚀刻处理生成的生成物所造成的基板污染。在以包围基板的方式设置的整流部件的至少与该基板相对的面上配置多孔体。并且，通过使由基板蚀刻处理生成的生成物吸附在该多孔体的表面，提高生成物和整流部件的紧贴强度，抑制该生成物的脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理装置，其特征在于，包括：设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；用于从所述载置台的上方侧供给对被处理体进行处理的处理气体的处理气体供给单元；用于排出所述处理容器内的气氛的气体排出部；和以包围所述载置台上的被处理体的方式设置的整流部件，所述整流部件的至少处理气氛侧的表面部由多孔体构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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