[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法

摘要

本发明涉及二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法。具体地，本发明公开了使用化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(CVD)方法或湿溶液方法合成金属硫属化物。有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应生成金属硫属化物。该化学方法被用来沉积用于相变存储器和光电设备的锗-锑-碲(GeSbTe)和锗-锑-硒(GeSbSe)膜或其它碲和硒基金属化合物。

主权项

在衬底上制备金属硫属化物合金膜的方法，其包括以下步骤：(a)将衬底与选自甲硅烷基碲和甲硅烷基硒的甲硅烷基-硫族元素接触；和(b)将衬底与至少一种具有通式MXn的金属化合物接触；其中，M选自Ge、Sb、In、Sn、Ga、Bi、Ag、Cu、Zr、Hf、Hg、Cd、Zn和贵金属；X是选自OR(烷氧基)、F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)、NR2(氨基)、CN(氰基)、OCN(氰酸根)、SCN(硫氰酸根)、二酮配基、羧基基团及其混合物的亲核基团；并且n＝1-5。