[发明专利]氧化铟锡立体电极及制法及制备装置及太阳能电池制法

摘要

本发明是有关于一种氧化铟锡(ITO)立体电极及其制备方法。本发明的氧化铟锡立体电极包括一导电层以及复数个氧化铟锡导电纳米柱，形成于导电层的表面，且其氧化铟锡纳米柱的长度可调变范围为10nm至1500nm，应用于有机太阳能电池的最佳长度可调变范围为50nm至200nm。本发明的具有立体结构的氧化铟锡电极应用于有机光电组件(如：有机太阳能电池、有机发光二极管等)时，可增加主动层与电极的接触面积，有效提升电流注入或导出的效率。本发明亦有关于制备此氧化铟锡立体电极的蒸镀机、包含此氧化铟锡立体电极的有机太阳能电池、以及制备此有机太阳能电池的方法。

主权项

一种氧化铟锡立体电极，包括：一导电层；以及复数个导电纳米柱，形成于该导电层的表面；其中，该导电纳米柱为氧化铟锡纳米柱，且该氧化铟锡纳米柱的长度可调变范围为10nm至1500nm，该氧化铟锡纳米柱的直径可调变范围为10nm至120nm，该氧化铟锡纳米柱形成于该导电层表面的密度可调变范围为每平方公分1x106至5x1010个。