[发明专利]含硼靶材及其制作方法、薄膜、磁记录媒体无效
| 申请号： | 200910150476.2 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101928851A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴明伟;廖浩嘉 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C23C14/14;C23C14/34;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及含硼靶材及其制作方法、薄膜、磁记录媒体。本发明为一种含硼靶材的制作方法，其包括提供钴铬(Co-Cr)预合金粉；混合钴铬预合金粉以及原料粉末后，将其预成型以形成初胚，其中所述原料粉末包含硼(B)粉和氧化物粉；以及烧结所述初胚以获得所述含硼靶材。通过使用钴铬预合金粉作为原料，再与硼、氧化物等原料混合，由此所制成的靶材的硼化物的尺寸及分布会被有效控制，并使靶材中的钴、铬、硼等元素的分布均匀性大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 含硼靶材 及其 制作方法 薄膜 记录 媒体 | ||
【主权项】：
一种含硼靶材的制作方法，其包括：提供钴铬(Co Cr)预合金粉；混合钴铬预合金粉以及原料粉末后，将其预成型以形成初胚，其中所述原料粉末包含硼粉和氧化物粉；烧结所述初胚以获得该含硼靶材。
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