[发明专利]用于MOS栅器件的表面几何结构无效
| 申请号： | 200910150498.9 | 申请日： | 2003-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101697349A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布朗夏尔 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/78;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于MOS栅器件的表面几何结构，它允许通过预定增量使器件的尺寸在x轴和y轴发生改变。实际器件尺寸通过金属和焊盘掩模或接触金属和焊盘掩模来设置或“编程”。这种方法既节省时间又节约费用。示出了一个7×9阵列(11)的相同贴片(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mos 器件 表面 几何 结构 | ||
【主权项】：
一种MOS栅器件，包括：不连续贴片的阵列，其中，所述阵列中的每一贴片包含源区、体区及栅接触区；源和体金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的源和体区电接触；及栅金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的栅接触区电接触。
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