[发明专利]对CIGS工艺进行直列式过程控制的方法和装置有效
| 申请号： | 200910150553.4 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101599515A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | L·斯托尔特;J·克斯勒 | 申请（专利权）人： | 索里布罗研究公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/24;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐予红 |
| 地址： | 瑞典乌*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种直列式生产装置和方法，所述装置和方法用于控制通过共蒸沉积工艺制造的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的成分。沉积条件使得沉积的含有过量铜的总成分转变为最终的CIGS膜的缺乏铜的总成分。具有钼层的基底(21)以恒定速度移动通过CIGS加工室(7)。使用传感器检测基底上的从富含铜的成分至缺乏铜的成分的转变，该传感器检测与所述转变相关的物理参数(如发射率)。在本发明的可替代的优选实施例中，传感器(20)设置为检测沉积层中的元素成分。连接到所述传感器的控制器(17)调节来自蒸发剂源(11，12，13)的流量，以在基底的宽度方向上提供成分和厚度均匀的CIGS层。使用两行蒸发源可调节基底的宽度方向上的CIGS层的元素成分和厚度。 | ||
| 搜索关键词： | cigs 工艺 进行 直列式 过程 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制在包括铜、铟、镓、硒的蒸发源(11-13，26)的加工室(7)中通过共蒸沉积工艺制造的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的成分的方法，所述方法包括测量所述沉积层中的各元素数量的步骤，其特征在于，在基底(21)的宽度方向上成行的设置蒸发源组(11、12、13)，在各行中测量所述沉积层中的各元素数量，并控制各行中的蒸发流量，以便提供具有均匀的元素成分的CIGS膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索里布罗研究公司，未经索里布罗研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910150553.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
