[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200910150584.X | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101621040A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 平光真二;太田裕之;佐佐木康二;中村真人;池田靖;松吉聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H02M7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基电极；半导体芯片，其隔着第一接合材料设置于所述基电极，且具有整流功能；引线电极，其经由第二接合材料连接在所述半导体芯片的上侧，并与引线相连；以及第一应力缓冲材料，其降低所述第一接合材料的应力，在所述第一接合材料的所述基电极侧的面上设置有所述基电极和所述第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。
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