[发明专利]高频半导体装置有效
| 申请号： | 200910151101.8 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783326A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 川岛庆一;细见刚;平山敏和 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种高频半导体装置，其特征在于，具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在所述空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在所述空腔底面；漏极框，配置在所述空腔底面；源极框，配置在所述空腔底面；栅极金属线，连接所述栅极电极和所述栅极框；漏极金属线，连接所述漏极电极和所述漏极框；以及源极金属线，连接所述源极电极和所述源极框，所述半导体芯片，以与将所述半导体芯片配置在所述空腔底面的中央部的情况相比使所述栅极金属线和所述漏极金属线的长度变长的方式，从所述中央部离开规定的偏移而配置。
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