[发明专利]制造存储栅像素设计的方法无效
申请号: | 200910151184.0 | 申请日: | 2005-08-15 |
公开(公告)号: | CN101635302A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | I·佩特里克;洪性权 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 湘;徐予红 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造具有快门栅结构的像素单元的方法。在光电二极管与第一电荷存储区之间以及第一存储区与浮动扩散区之间分别构建第一和第二电荷势垒。形成全局快门栅以控制电荷势垒,并通过有效地降低第一电荷势垒来将电荷从光电二极管转移到第一电荷存储区。转移晶体管执行操作以通过降低第二电荷势垒来将电荷从第一存储区转移到浮动扩散区。 | ||
搜索关键词: | 制造 存储 像素 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器像素结构,包括:在第二传导性类型的衬底中的第一传导性类型的第一和第二掺杂区,所述第一和第二掺杂区对应于电荷存储区;在所述衬底中的第三和第四掺杂区,所述第一掺杂区位于所述第三掺杂区下方以形成光传感器,并且所述第四掺杂区至少部分地位于所述第一和第二掺杂区之间以在所述第一和第二掺杂区之间形成电荷势垒;以及在所述第二和第四掺杂区的至少一部分上方形成栅结构,以使所述栅结构操作性地降低所述电荷势垒并将电荷从所述第一掺杂区选通到所述第二掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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