[发明专利]一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法无效
| 申请号： | 200910151528.8 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101729057A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴伟豪;欧东尼 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法，该系统包括：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，第一电压位准与第二电压位准相异，且第一电压位准低于电源电压，其中当P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，第一电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体，而当P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，第二电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体。本发明还提供了一种抑制负偏压高温不稳定性的方法。藉此，本发明能够抑制金属氧化物半导体晶体管中的负偏压高温不稳定性，进而改善与提升电路效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 偏压 高温 不稳定性 动态 基体 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其至少包含：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，该第一电压位准与该第二电压位准相异，且该第一电压位准低于该电源电压，其中当该P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，该第一电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的一基体，而当该P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，该第二电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的该基体。
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