[发明专利]具有单片集成的RC缓冲器的功率器件

摘要

一种半导体结构，包括功率晶体管，与RC缓冲器单片集成在一个芯管中。该功率晶体管包括在硅区中延伸的体区，通过栅电极与体区绝缘的栅电极，在体区中延伸的源区，源区和体区为相反的导电类型，并且源极内连线与源区相接触。RC缓冲器包括通过缓冲器电介质与硅区绝缘的缓冲器电极，使得缓冲器电极和硅区形成具有预定值的缓冲器电容器。缓冲器电极以在缓冲器电容器和源极内连线之间的预定值的缓冲器电阻器的方式连接至源极内连线。缓冲器电容器和缓冲器电阻器配置为在功率晶体管切换状态时基本上使输出振铃衰减。

主权项

1.一种半导体结构，包括：功率晶体管，与RC缓冲器单片集成在一个芯管中，其中，a)所述功率晶体管包括：体区，在硅区中延伸；栅电极，通过栅极电介质与所述体区绝缘；源区，在所述体区中延伸，所述源区与所述体区为相反的导电类型；源极内连线，与所述源区相接触；b)所述RC缓冲器包括：缓冲器电极，通过缓冲器电介质与所述硅区绝缘，使得所述缓冲器电极和所述硅区形成具有预定值的缓冲器电容器，所述缓冲器电极以使在所述缓冲器电容器和所述源极内连线之间形成预定值的缓冲器电阻器的方式连接至所述源极内连线，其中，所述缓冲器电容器和所述缓冲器电阻器配置为在所述功率晶体管切换状态时基本上使输出振铃衰减。