[发明专利]形成集成半导体设备及其结构的方法有效
| 申请号： | 200910151751.2 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101674066A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | S·M·埃特尔;刘明焦;A·萨利赫;D·D·马里罗;S·C·沙斯特瑞 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成集成半导体设备及其结构的方法。在一个实施方式中，多个ESD设备用来形成集成半导体滤波器电路。为了增加输入电容，形成与ESD结构并联的附加二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成 半导体设备 及其 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成半导体滤波器，包括：第一端子；第二端子；第三端子；耦合在所述第一和所述第三端子之间的第一二极管；第二二极管；与所述第二二极管串联耦合的第一齐纳二极管，其中所述第二二极管和所述第一齐纳二极管的串联组合与所述第一二极管并联耦合，并且其中所述第一二极管、所述第二二极管和所述第一齐纳二极管形成具有第一电容值的第一电容器；耦合在所述第二端子和所述第三端子之间的第三二极管；第四二极管；与所述第四二极管串联耦合的第二齐纳二极管，其中所述第四二极管和所述第二齐纳二极管的串联组合与所述第三二极管并联耦合，并且其中所述第三二极管、所述第四二极管和所述第二齐纳二极管形成具有第二电容值的第二电容器；与所述第三二极管并联耦合的第五二极管，其中所述第五二极管形成具有第三电容值的第三电容器，其中所述第三二极管、所述第四二极管、所述第五二极管和所述第二齐纳二极管形成集成半导体滤波器的第一分支电容器，所述第一分支电容器在不大于一兆赫兹的频率下具有约2.5-7.5皮法的第四电容值；和与至少所述集成半导体滤波器的所述第二端子耦合的电感器。
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