[发明专利]填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用有效
| 申请号： | 200910151827.1 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101613877A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张涛;万跃鹏;钟德京 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 良好 原料 单晶炉 多晶 中的 应用 | ||
【主权项】：
1、一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，其特征在于：该原料硅块的纯度在99.99％-99.9999999％；且该原料硅块的抗压参数为0.1-50MPa。
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