[发明专利]发光设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910152392.2 申请日: 2002-09-28
公开(公告)号: CN101626064A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 濑尾哲史;中村康男 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/84
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 臧霁晨;李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4,5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此,能够将阳极的空穴注射提高更多。而且,对于导电性能来说,该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此,它能够实现用作电线的功能,与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
搜索关键词: 发光 设备 及其 制造 方法
【主权项】:
1.发光设备包括:在具有绝缘膜的衬底之上的包括钛化合物的阳极;在所述阳极之上的阴极;以及包括至少一种有机化合物并插入在所述阳极和所述阴极之间的层,其中所述阳极具有光屏蔽能力,以及其中所述阴极包括透光导电膜。
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