[发明专利]纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法有效
申请号: | 200910152441.2 | 申请日: | 2009-09-14 |
公开(公告)号: | CN101655440A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 吴爱国;曾乐勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | G01N13/10 | 分类号: | G01N13/10;G12B21/20 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 315201浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法。本发明利用光刻或电子束刻蚀技术,在基底边缘或微纳器件四周分别刻蚀出多重不同精度和不同符号的坐标标记,通过记录样品或器件观察区域在某一方向上的坐标值以及该区域与某一坐标线的距离或记录该区域在两个方向上的坐标值,可以快速、准确地重新找到该区域,实现样品重新定位和微纳器件再加工。 | ||
搜索关键词: | 纳米 材料 器件 显微 重复 定位 方法 | ||
【主权项】:
1.纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法,其特征在于,包括步骤:在基底上或微纳器件的表面形成至少两条相交的坐标线,每条坐标线上设有至少三级不同精度的坐标刻度;将纳米材料或微纳器件置于所述基底上;将所述基底置于显微装置的显微平面上;移动所述基底,直至所述纳米材料或微纳器件位于所述显微装置的显微范围内;利用所述显微装置显示或采集所述纳米材料或微纳器件的第一图像;沿垂直于多条坐标线中的第一坐标线的第一方向移动基底,直至所述第一坐标线上最高精度的坐标刻度中的一个刻度位于所述显微装置的显微范围内的第一特定位置上;记录上述显微装置的显微范围内的特定位置处的坐标刻度为定位坐标刻度,记录所述基底的移动距离为定位距离;将所述基底从所述显微平面上移开后对基底上的纳米材料或微纳器件进行处理;再次将基底置于显微装置的显微平面上;移动所述基底,直至所述第一坐标线上的定位坐标刻度位于所述显微装置的显微范围内的所述第一特定位置上;沿所述第一方向的反方向移动所述基底,移动距离为所述定位距离;利用所述显微装置显示或采集所述纳米材料或微纳器件的第二图像。
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