[发明专利]一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺

摘要

本发明公开的低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺，步骤如下：先清洗硅片，去除硅片表面损伤；然后放入KOH和异丙醇的混合溶液中，在硅片表面形成大小均匀的金字塔结构；再将具有金字塔结构的硅片放入HF和Fe(NO₃)₃的混合液中腐蚀，在金字塔表面形成多孔硅。本发明制作工艺处理过程简单，腐蚀液价格便宜，可以与现有工业生产工艺兼容，处理后硅片的表面反射率低，可小于5％。

主权项

1.一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺，包括以下步骤：1)将硅片投入20～30mt％KOH溶液中清洗，去除硅片表面损伤；2)将清洗后的硅片放入KOH和异丙醇的混合溶液中，其中KOH的质量浓度为1～3％，异丙醇的体积浓度为5～8％，于80℃条件下反应30～60min，在硅片表面形成大小均匀的金字塔结构；3)将步骤2)的具有金字塔结构的硅片放入装有腐蚀液的聚四氟乙烯釜中，密封，在10～60℃下，反应15min～60min，腐蚀液为5mol/L～15mol/L HF和0.1mol/L～0.4mol/L Fe(NO3)3的混合液，在金字塔表面形成多孔硅，得到低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面。