[发明专利]一种高纯碳化硼粉体的制备方法无效
申请号: | 200910153736.1 | 申请日: | 2009-11-03 |
公开(公告)号: | CN101712473A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 诸葛飞;李润伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 袁忠卫;景丰强 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种高纯碳化硼粉体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①取六方氮化硼和石墨粉以4∶1的摩尔比均匀混合;②在气氛保护下,反应1~3小时,控制温度1800~2300℃。与现有技术相比,本发明的优点在于:经过测试所得碳化硼纯度达到99.6wt%以上,满足对高纯度碳化硼的需求,另外,整体工艺步骤简单,占地面积小,设备容易获得,易于产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 碳化 硼粉体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯碳化硼粉体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①取六方氮化硼和石墨粉以4∶1的摩尔比均匀混合;②在气氛保护下,反应1~3小时,控制温度1800~2300℃。
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