[发明专利]在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开的在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法，采用的是射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积，先将清洗后的硅片基板放入反应室，反应室抽真空，通入H2，射频辉光放电进一步清洗硅片基板；然后通入H2稀释的SiH4和C2H4气体作为反应气源，射频辉光放电，在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜。沉积制得的薄膜可以后续原位在H2氛围低温退火，增加薄膜的发光效率和稳定性。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶碳化硅薄膜均匀性好，光致发光强烈，普通室内照明条件下肉眼可见，样品的原位退火可有效防止样品的二次污染和氧化，制得样品可广泛应用于发光二极管、光敏器件、太阳电池、异质节结构等方面。

主权项

在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法，其特征包括以下步骤：1)将清洗后的硅片基板放入射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积装置的反应室中，反应室真空度抽至1×10-4～3×10-4Pa，室温下通入20sccm流量的H2，压力保持在50Pa，射频辉光功率100W，放电10～30min，进一步清洗硅片基板；2)以H2稀释至体积浓度为5～20％的SiH4和C2H4的混合气体为反应气源，C2H4/(C2H4+SiH4)摩尔比为0.33～0.99，混合气体以流量22～70sccm引入真空反应室中，在基板温度为室温～350℃，30～60Pa压力，射频功率20～150W下，产生辉光进行反应，在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜。